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      详解半导体的光刻工艺全过程

      芯论 ? 2019-04-30 11:42 ? 次阅读

      光刻工艺是半导体制造中最为重要的工艺步骤之一。主要作用是将掩膜板上的图形复制到硅片上,为下一步进行刻蚀或者离子注入工序做好准备。光刻的成本约为整个硅片制造工艺的1/3,耗费时间约占整个硅片工艺的40~60%。

      光刻机是生产线上最贵的机台,5~15百万美元/台。主要是贵在成像系统(由15~20个直 径为200~300mm的透镜组成)和定位系统(定位精度小于10nm)。其折旧速度非???,大约3~9万人民币/天,所以也称之为印钞机。光刻部分的主 要机台包括两部分:轨道机(Tracker),用于涂胶显影;扫描曝光机(Scanning )

      光刻工艺的要求:光刻工具具有高的分辨率;光刻胶具有高的光学敏感性;准确地对准;大尺寸硅片的制造;低的缺陷密度。

      光刻工艺过程

      一般的光刻工艺要经历硅片表面清洗烘干、涂底、旋涂光刻胶、软烘、对准曝光、后烘、显影、硬烘、刻蚀、检测等工序。

      1、硅片清洗烘干(Cleaning and Pre-Baking)

      方法:湿法清洗+去离子水冲洗+脱水烘焙(热板150~2500C,1~2分钟,氮气?;ぃ?/p>

      目的:a、除去表面的污染物(颗粒、有机物、工艺残余、可动离子);b、除去水蒸气,是基底表面由亲水性变为憎水性,增强表面的黏附性(对光刻胶或者是HMDS-〉六甲基二硅胺烷)。

      2、涂底(Priming)

      方法:a、气相成底膜的热板涂底。HMDS蒸气淀积,200~2500C,30秒钟;优点:涂底均匀、避免颗粒污染;b、旋转涂底。缺点:颗粒污染、涂底不均匀、HMDS用量大。

      目的:使表面具有疏水性,增强基底表面与光刻胶的黏附性。

      3、旋转涂胶(Spin-on PR Coating)

      方法:a、静态涂胶(Static)。硅片静止时,滴胶、加速旋转、甩胶、挥发溶剂(原光刻胶的溶剂约占65~85%,旋涂后约占10~20%);

      b、动态(Dynamic)。低速旋转(500rpm_rotation per minute)、滴胶、加速旋转(3000rpm)、甩胶、挥发溶剂。

      决定光刻胶涂胶厚度的关键参数:光刻胶的黏度(Viscosity),黏度越低,光刻胶的厚度越??;旋转速度,速度越快,厚度越??;

      影响光刻胶厚度均运性的参数:旋转加速度,加速越快越均匀;与旋转加速的时间点有关。

      一般旋涂光刻胶的厚度与曝光的光源波长有关(因为不同级别的曝光波长对应不同的光刻胶种类和分辨率):

      I-line最厚,约0.7~3μm;KrF的厚度约0.4~0.9μm;ArF的厚度约0.2~0.5μm。

      4、软烘(Soft Baking)

      方法:真空热板,85~120℃,30~60秒;

      目的:除去溶剂(4~7%);增强黏附性;释放光刻胶膜内的应力;防止光刻胶玷污设备;

      边缘光刻胶的去除(EBR,Edge Bead Removal)。光刻胶涂覆后,在硅片边缘的正反两面都会有光刻胶的堆积。边缘的光刻胶一般涂布不均匀,不能得到很好的图形,而且容易发生剥离(Peeling)而影响其它部分的图形。所以需要去除。

      方法:a、化学的方法(Chemical EBR)。软烘后,用PGMEA或EGMEA去边溶剂,喷出少量在正反面边缘出,并小心控制不要到达光刻胶有效区域;b、光学方法(Optical EBR)。即硅片边缘曝光(WEE,Wafer Edge Exposure)。在完成图形的曝光后,用激光曝光硅片边缘,然后在显影或特殊溶剂中溶解

      5、对准并曝光(Alignment and Exposure)

      对准方法:a、预对准,通过硅片上的notch或者flat进行激光自动对准;b、通过对准标志(Align Mark),位于切割槽(Scribe Line)上。另外层间对准,即套刻精度(Overlay),保证图形与硅片上已经存在的图形之间的对准。

      曝光中最重要的两个参数是:曝光能量(Energy)和焦距(Focus)。如果能量和焦距调整不好,就不能得到要求的分辨率和大小的图形。表现为图形的关键尺寸超出要求的范围。

      曝光方法:a、接触式曝光(Contact Printing)。掩膜板直接与光刻胶层接触。曝光出来的图形与掩膜板上的图形分辨率相当,设备简单。缺点:光刻胶污染掩膜板;掩膜板的磨损,寿命很低(只能使用5~25次);1970前使用,分辨率〉0.5μm。

      b、接近式曝光(Proximity Printing)。掩膜板与光刻胶层的略微分开,大约为10~50μm??梢员苊庥牍饪探褐苯咏哟ザ鸬难谀ぐ逅鹕?。但是同时引入了衍射效应,降低了分辨率。1970后适用,但是其最大分辨率仅为2~4μm。

      c、投影式曝光(Projection Printing)。在掩膜板与光刻胶之间使用透镜聚集光实现曝光。一般掩膜板的尺寸会以需要转移图形的4倍制作。优点:提高了分辨率;掩膜板的制作更加容易;掩膜板上的缺陷影响减小。

      投影式曝光分类:扫描投影曝光(Scanning Project Printing)。70年代末~80年代初,〉1μm工艺;掩膜板1:1,全尺寸;

      步进重复投影曝光(Stepping-repeating Project Printing或称作Stepper)。80年代末~90年代,0.35μm(I line)~0.25μm(DUV)。掩膜板缩小比例(4:1),曝光区域(Exposure Field)22×22mm(一次曝光所能覆盖的区域)。增加了棱镜系统的制作难度。

      扫描步进投影曝光(Scanning-Stepping Project Printing)。90年代末~至今,用于≤0.18μm工艺。采用6英寸的掩膜板按照4:1的比例曝光,曝光区域(Exposure Field)26×33mm。优点:增大了每次曝光的视??;提供硅片表面不平整的补偿;提高整个硅片的尺寸均匀性。但是,同时因为需要反向运动,增加了机 械系统的精度要求。

      在曝光过程中,需要对不同的参数和可能缺陷进行跟踪和控制,会用到检测控制芯片/控片 (Monitor Chip)。根据不同的检测控制对象,可以分为以下几种:a、颗??仄≒article MC):用于芯片上微小颗粒的监控,使用前其颗粒数应小于10颗;b、卡盘颗??仄–huck Particle MC):测试光刻机上的卡盘平坦度的专用芯片,其平坦度要求非常高;c、焦距控片(Focus MC):作为光刻机监控焦距监控;d、关键尺寸控片(Critical Dimension MC):用于光刻区关键尺寸稳定性的监控;e、光刻胶厚度控片(PhotoResist Thickness MC):光刻胶厚度测量;f、光刻缺陷控片(PDM,Photo Defect Monitor):光刻胶缺陷监控。

      举例:0.18μm的CMOS扫描步进光刻工艺。

      光源:KrF氟化氪DUV光源(248nm) ;数值孔径NA:0.6~0.7;焦深DOF:0.7μm

      分辨率Resolution:0.18~0.25μm

      (一般采用了偏轴照明OAI_Off- Axis Illumination和相移掩膜板技术PSM_Phase Shift Mask增强);

      套刻精度Overlay:65nm;产能Throughput:30~60wafers/hour(200mm);视场尺寸Field Size:25×32mm;

      6、后烘(PEB,Post Exposure Baking)

      方法:热板,110~1300C,1分钟。

      目的:a、减少驻波效应;b、激发化学增强光刻胶的PAG产生的酸与光刻胶上的?;せ欧⑸从Σ⒁瞥攀怪苋芙庥谙杂耙?。

      7、显影(Development)

      方法:a、整盒硅片浸没式显影(Batch Development)。缺点:显影液消耗很大;显影的均匀性差;

      b、连续喷雾显影(Continuous Spray Development)/自动旋转显影(Auto-rotation Development)。一个或多个喷嘴喷洒显影液在硅片表面,同时硅片低速旋转(100~500rpm)。喷嘴喷雾模式和硅片旋转速度是实现硅片间溶 解率和均匀性的可重复性的关键调节参数。

      c、水坑(旋覆浸没)式显影(Puddle Development)。喷覆足够(不能太多,最小化背面湿度)的显影液到硅片表面,并形成水坑形状(显影液的流动保持较低,以减少边缘显影速率的变 化)。硅片固定或慢慢旋转。一般采用多次旋覆显影液:第一次涂覆、保持10~30秒、去除;第二次涂覆、保持、去除。然后用去离子水冲洗(去除硅片两面的 所有化学品)并旋转甩干。优点:显影液用量少;硅片显影均匀;最小化了温度梯度。

      显影液:a、正性光刻胶的显影液。正胶的显影液位碱性水溶液。KOH和NaOH因为会带来可 动离子污染(MIC,Movable Ion Contamination),所以在IC制造中一般不用。最普通的正胶显影液是四甲基氢氧化铵(TMAH)(标准当量浓度为0.26,温度 15~250C)。在I线光刻胶曝光中会生成羧酸,TMAH显影液中的碱与酸中和使曝光的光刻胶溶解于显影液,而未曝光的光刻胶没有影响;在化学放大光刻 胶(CAR,Chemical Amplified Resist)中包含的酚醛树脂以PHS形式存在。CAR中的PAG产生的酸会去除PHS中的?;せ牛╰-BOC),从而使PHS快速溶解于TMAH显 影液中。整个显影过程中,TMAH没有同PHS发生反应。

      b、负性光刻胶的显影液。二甲苯。清洗液为乙酸丁脂或乙醇、三氯乙烯。

      显影中的常见问题:a、显影不完全(Incomplete Development)。表面还残留有光刻胶。显影液不足造成;b、显影不够(Under Development)。显影的侧壁不垂直,由显影时间不足造成;c、过度显影(Over Development)??拷砻娴墓饪探罕幌杂耙汗热芙?,形成台阶。显影时间太长。

      8、硬烘(Hard Baking)

      方法:热板,100~1300C(略高于玻璃化温度Tg),1~2分钟。

      目的:a、完全蒸发掉光刻胶里面的溶剂(以免在污染后续的离子注入环境,例如DNQ酚醛树脂 光刻胶中的氮会引起光刻胶局部爆裂);b、坚膜,以提高光刻胶在离子注入或刻蚀中?;は卤砻娴哪芰?;c、进一步增强光刻胶与硅片表面之间的黏附性;d、进 一步减少驻波效应(Standing Wave Effect)。

      常见问题:a、烘烤不足(Underbake)。减弱光刻胶的强度(抗刻蚀能力和离子注入中 的阻挡能力);降低针孔填充能力(Gapfill Capability for the needle hole);降低与基底的黏附能力。b、烘烤过度(Overbake)。引起光刻胶的流动,使图形精度降低,分辨率变差。

      另外还可以用深紫外线(DUV,Deep Ultra-Violet)坚膜。使正性光刻胶树脂发生交联形成一层薄的表面硬壳,增加光刻胶的热稳定性。在后面的等离子刻蚀和离子注入(125~2000C)工艺中减少因光刻胶高温流动而引起分辨率的降低。


      原文标题:半导体的光刻工艺全过程技术详解!

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      近日在山东省发改委公布的新旧动能转换重大项目库第二批优选项目名单中包含多个半导体功率项目。
      的头像 半导体动态 发表于 06-24 16:55 ? 724次 阅读
      山东兴华半导体项目开工 总投资达50亿

      5年“烧”了500亿美元 台积电成为全球晶圆代工龙头

      根据最新报告,台积电今年Q2季度占据了全球晶圆代工市场份额的49.2%,一家就相当于其他所有晶圆代工....
      的头像 半导体那些事儿 发表于 06-24 16:44 ? 555次 阅读
      5年“烧”了500亿美元 台积电成为全球晶圆代工龙头

      32 岁的台积电,3 大战役成就龙头地位

      台积电总裁魏哲家在技术论坛中表示,目前市面上量产的 7 nm 工艺芯片都是台积电制造。
      的头像 DeepTech深科技 发表于 06-24 16:02 ? 521次 阅读
      32 岁的台积电,3 大战役成就龙头地位

      自主CPU为什么这么难?供需平衡才管用

      从中兴芯片被美帝禁运开始,半导体行业被更多的重视起来,自主CPU为什么就这么难?
      的头像 旺材芯片 发表于 06-24 15:57 ? 410次 阅读
      自主CPU为什么这么难?供需平衡才管用

      晶体硅的主要特性是什么?可以用于哪些方面

      晶体硅材料是最主要的光伏材料,性质为带有金属光泽的灰黑色固体、熔点高(1410)、硬度大、有脆性、常....
      的头像 牵手一起梦 发表于 06-24 15:01 ? 427次 阅读
      晶体硅的主要特性是什么?可以用于哪些方面

      郭台铭接班人出炉 刘扬伟出任鸿海董事长

      近日,郭台铭接班人出炉。鸿海S次集团总经理兼京鼎董事长刘扬伟被选举为鸿海新董事长,成为九人经营委员会....
      的头像 高工LED 发表于 06-24 14:46 ? 199次 阅读
      郭台铭接班人出炉 刘扬伟出任鸿海董事长

      单晶硅片的应用及加工工艺流程

      单晶硅也称硅单晶,是电子信息材料中最基础性材料,属半导体材料类。单晶硅主要用于半导体集成电路、二极管....
      的头像 牵手一起梦 发表于 06-24 14:46 ? 314次 阅读
      单晶硅片的应用及加工工艺流程

      晶圆是什么?它的工艺制造流程是怎样的?

      晶圆是指硅半导体集成电路制作所用的硅晶片,由于其形状为圆形,故称为晶圆;在硅晶片上可加工制作成各种电....
      的头像 牵手一起梦 发表于 06-24 14:27 ? 363次 阅读
      晶圆是什么?它的工艺制造流程是怎样的?

      梁孟松和赵海军继续当选中芯国际执行董事 短期内不会发生变动

      近日,中芯国际举行了股东周年大会,选举了新一届董事会成员,周子学继续当选董事长,联席CEO赵海军以及....
      的头像 半导体投资联盟 发表于 06-24 09:38 ? 783次 阅读
      梁孟松和赵海军继续当选中芯国际执行董事 短期内不会发生变动

      韦尔股份收购OV配股募资获批,年内将完成交易加速实现CIS布局

      6月21日,韦尔股份发布公告称,公司于当日收到证监会核发的《关于核准上海韦尔半导体股份有限公司向绍兴....
      的头像 半导体投资联盟 发表于 06-24 09:28 ? 407次 阅读
      韦尔股份收购OV配股募资获批,年内将完成交易加速实现CIS布局

      中国芯片市场仅占全球3% 美国则超过50%的占比位居全球第一

      近日,著名的IC数据统计机构,发布了全球IC市场份额排名,其中中国大陆市场份额仅为3%,而美国则超过....
      的头像 中国半导体论坛 发表于 06-24 09:22 ? 708次 阅读
      中国芯片市场仅占全球3% 美国则超过50%的占比位居全球第一

      南大光电入股北京科华 共同开展193nm光刻胶的研究与产品开发

      早在2015年,南大光电入股北京科华并对外宣称,双方将共同开展193nm光刻胶的研究与产品开发;如今....
      的头像 半导体前沿 发表于 06-24 08:46 ? 318次 阅读
      南大光电入股北京科华 共同开展193nm光刻胶的研究与产品开发

      惠瑞捷Port Scale RF测试解决方案

      半导体测试公司惠瑞捷半导体科技有限公司(Verigy Ltd.)的V93000 SoC测试机台推出Port Scale射频(RF)测试解决方案。...
      发表于 06-21 06:23 ? 35次 阅读
      惠瑞捷Port Scale RF测试解决方案

      想知道怎么引出电极测它的半导体性能?

      做氧化锌纳米棒涂在PET上用来做TFT,想知道怎么引出电极测它的半导体性能. ...
      发表于 06-11 17:48 ? 382次 阅读
      想知道怎么引出电极测它的半导体性能?

      3.3折钜惠、千元京东卡...电子人的年中狂欢节=华秋618!

      六月盛夏已经到来「华秋供应链618年中钜惠」也如约而至!只属于「电子人」的年中狂欢现在火热开??! 赶紧先看下今年华秋618的...
      发表于 06-11 16:34 ? 176次 阅读
      3.3折钜惠、千元京东卡...电子人的年中狂欢节=华秋618!

      简易I2C隔离器设计

      作者:Thomas Kugelstadt,德州仪器 (TI) 应用工程师 通常产品设计时间非常紧张,用于新产品设计的资金也并不宽余。但不管...
      发表于 06-10 05:00 ? 92次 阅读
      简易I2C隔离器设计

      PAN或WAN接口在远程医疗的应用

      作者:Iboun Taimiya Sylla,德州仪器 (TI) 医疗产品部业务开发经理 引言 远程医疗正成为帮助人们提高生活品质的一种...
      发表于 06-05 05:00 ? 126次 阅读
      PAN或WAN接口在远程医疗的应用

      热瞬态分析的理论基础

      许多半导体器件在脉冲功率条件下工作,器件的温升与脉冲宽度及占空比有关,因此在许多场合下需要了解器件与施加功率时间相关的热...
      发表于 05-31 07:36 ? 67次 阅读
      热瞬态分析的理论基础

      任正非:“华为不会死!” 品质好坏恐成PCB快板厂的生死签?

      “华为根本不会死?!?上周,华为创始人任正非接受央视的“面对面”栏目记者专访时,针对近期美国政府在高科技领域的“打压”如此...
      发表于 05-28 14:21 ? 313次 阅读
      任正非:“华为不会死!” 品质好坏恐成PCB快板厂的生死签?

      元器件关税上调,华为被“围堵”,半导体行业深陷贸易战漩涡?(附关税上调通知)

      上周(5月13日),国家财政部宣布:自今年6月1日起,对原产于美国的部分进口商品提高加征关税税率,加征幅度5-25%。 中国如此...
      发表于 05-22 17:43 ? 471次 阅读
      元器件关税上调,华为被“围堵”,半导体行业深陷贸易战漩涡?(附关税上调通知)

      低功耗DFM和高速接口

      近两年,国际上大的半导体公司都推出了65纳米产品,并开始了45纳米/40纳米产品的研发,而国内也已经有五六家企业开始了65纳米的设...
      发表于 05-20 05:00 ? 138次 阅读
      低功耗DFM和高速接口

      LM324LV 4 通道行业标准低电压运算放大器

      LM3xxLV系列包括单个LM321LV,双LM358LV和四个LM324LVoperational放大器或运算放大器。这些器件采用2.7 V至5.5 V的低电压工作。 这些运算放大器是LM321,LM358和LM324的替代产品,适用于对成本敏感的低电压应用。一些应用是大型电器,烟雾探测器和个人电子产品。 LM3xxLV器件在低电压下提供比LM3xx器件更好的性能,并且功耗更低。运算放大器在单位增益下稳定,在过驱动条件下不会反相。 ESD设计为LM3xxLV系列提供了至少2 kV的HBM规格。 LM3xxLV系列提供具有行业标准的封装。这些封装包括SOT-23,SOIC,VSSOP和TSSOP封装。 特性 用于成本敏感系统的工业标准放大器 低输入失调电压:±1 mV 共模电压范围包括接地 单位增益带宽:1 MHz 低宽带噪声:40 nV /√ Hz < li>低静态电流:90μA/Ch 单位增益稳定 工作电压为2.7 V至5.5 V 提供单,双和四通道变体 稳健的ESD规范:2 kV HBM 扩展温度范围:-40°C至125°C 所有商标均为其各自所有者的财产。 参数 与其它产品相比?通用 运算放大器 ? Number of channels (#) Total Supply Voltage (Min) (+5V=5, +/-5V=1...
      发表于 01-08 17:51 ? 741次 阅读
      LM324LV 4 通道行业标准低电压运算放大器

      TLV9052 5MHz、15-V/μs 高转换率 RRIO 运算放大器

      TLV9051,TLV9052和TLV9054器件分别是单,双和四运算放大器。这些器件针对1.8 V至5.5 V的低电压工作进行了优化。输入和输出可以以非常高的压摆率从轨到轨工作。这些器件非常适用于需要低压工作,高压摆率和低静态电流的成本受限应用。这些应用包括大型电器和三相电机的控制。 TLV905x系列的容性负载驱动为200 pF,电阻性开环输出阻抗使容性稳定更高,容性更高。 TLV905x系列易于使用,因为器件是统一的 - 增益稳定,包括一个RFI和EMI滤波器,在过载条件下不会发生反相。 特性 高转换率:15 V /μs 低静态电流:330μA 轨道-to-Rail输入和输出 低输入失调电压:±0.33 mV 单位增益带宽:5 MHz 低宽带噪声:15 nV /√ Hz 低输入偏置电流:2 pA Unity-Gain稳定 内部RFI和EMI滤波器 适用于低成本应用的可扩展CMOS运算放大器系列 工作电压低至1.8 V 由于电阻开环,电容负载更容易稳定输出阻抗 扩展温度范围:-40°C至125°C 所有商标均为其各自所有者的财产。 参数 与其它产品相比?通用 运算放大器 ? Number of channels (#) Total Supply Voltage (Min) (+5V=5, +/-5V=10) Total Supply Vo...
      发表于 01-08 17:51 ? 89次 阅读
      TLV9052 5MHz、15-V/μs 高转换率 RRIO 运算放大器

      TMP422-EP 增强型产品,具有 N 因数和串联电阻校正的 ±1°C 双路远程和本地温度传感器

      TMP422是具有内置本地温度传感器的远程温度传感器监视器。远程温度传感器具有二极管连接的晶体管 - 通常是低成本,NPN-或者PNP - 类晶体管或者作为微控制器,微处理器,或者FPGA组成部分的二极管。 无需校准,对多生产商的远程精度是±1°C。这个2线串行接口接受SMBus写字节,读字节,发送字节和接收字节命令对此器件进行配置。 TMP422包括串联电阻抵消,可编程非理想性因子,大范围远程温度测量(高达150℃),和二极管错误检测。 TMP422采用SOT23-8封装。 特性 SOT23-8封装 ±1°C远程二极管传感器(最大值) ±2.5°C本地温度传感器(最大值) 串联电阻抵消 n-因子校正 两线/SMBus串口 多重接口地址 二极管故障检测 RoHS兼容和无Sb /Br 参数 与其它产品相比?数字温度传感器 ? Interface Local sensor accuracy (Max) (+/- C) Temp Resolution (Max) (bits) Operating temperature range (C) Supply Voltage (Min) (V) Supply Voltage (Max) (V) Supply Current (Max) (uA) Features Remote channels (#) Rating Package Group Package size: mm2:W x L (PKG) ? TMP422-...
      发表于 01-08 17:51 ? 89次 阅读
      TMP422-EP 增强型产品,具有 N 因数和串联电阻校正的 ±1°C 双路远程和本地温度传感器

      LP8733-Q1 LP8733-Q1 双路高电流降压转换器和双路线性稳压器

      LP8733xx-Q1专为满足的电源管理要求而设计,这些处理器和平台用于汽车应用中的闭环性能。该器件具有两个可配置为单个两相稳压器或两个单相稳压器的降压直流/直流转换器和两个线性稳压器以及通用数字输出信号。该器件由I 2 C兼容串行接口和使能信号进行控制。 自动PWM /PFM(AUTO模式)操作与自动相位增加/减少相结合,可在较宽输出电流范围内最大限度地提高效率.LP8733xx-Q1支持远程电压检测(采用两相配置的差分),可补偿稳压器输出与负载点(POL)之间的IR压降,从而提高输出电压的精度。此外,可以强制开关时钟进入PWM模式以及将其与外部时钟同步,从而最大限度地降低干扰。 LP8733xx-Q1器件支持可编程启动和关断延迟与排序(包括与使能信号同步的GPO信号)。在启动和电压变化期间,器件会对出转换率进行控制,从而最大限度地减小输出电压过冲和浪涌电流。 特性 具有符合 AEC-Q100 标准的下列特性:器件温度 1 级:-40℃ 至 +125℃ 的环境运行温度范围输入电压:2.8V 至 5.5V两个高效降压直流/直流转换器:输出电压:0.7V 至 3.36V最大输出电流 3A/相采用两相配置的自动相位增加/减少和强制多相操作采用两相配置的远...
      发表于 01-08 17:51 ? 114次 阅读
      LP8733-Q1 LP8733-Q1 双路高电流降压转换器和双路线性稳压器

      TPS3840 具有手动复位和可编程复位时间延迟功能的毫微功耗高输入电压监控器

      TPS3840系列电压监控器或复位IC可在高电压下工作,同时在整个V DD 上保持非常低的静态电流和温度范围。 TPS3840提供低功耗,高精度和低传播延迟的最佳组合(t p_HL =30μs典型值)。 当VDD上的电压低于负电压阈值(V IT - )或手动复位拉低逻辑(V MR _L )。当V DD 上升到V IT - 加滞后(V IT + )和手动复位( MR )时,复位信号被清除)浮动或高于V MR _H ,复位时间延迟(t D )到期??梢酝ü贑T引脚和地之间连接一个电容来编程复位延时。对于快速复位,CT引脚可以悬空。 附加功能:低上电复位电压(V POR ), MR 和VDD的内置线路抗扰度?;?,内置迟滞,低开漏输出漏电流(I LKG(OD))。 TPS3840是一款完美的电压监测解决方案,适用于工业应用和电池供电/低功耗应用。 结果 结果 结果 结果 结果 结果 结果 结果 结果 结果 特性 宽工作电压:1.5 V至10 V 纳米电源电流:350 nA(典型值) 固定阈值电压(V IT - ) 阈值从1.6 V到4.9 V,步长为0.1 V 高精度:1%(典型值) 内置滞后(V IT + ) 1.6 V&lt; V IT - ≤3.1V= 100mV(典...
      发表于 01-08 17:51 ? 139次 阅读
      TPS3840 具有手动复位和可编程复位时间延迟功能的毫微功耗高输入电压监控器

      INA240-SEP 采用增强型航天塑料且具有增强型 PWM 抑制功能的 80V、高/低侧、零漂移电流检测放大器

      INA240-SEP器件是一款电压输出,电流检测放大器,具有增强的PWM反射功能,能够在宽共模电压下检测分流电阻上的压降范围为-4V至80V,与电源电压无关。负共模电压允许器件在地下工作,适应典型电磁阀应用的反激时间。 EnhancedPWM抑制为使用脉冲宽度调制(PWM)信号的大型共模瞬变(ΔV/Δt)系统(如电机驱动和电磁阀控制系统)提供高水平的抑制。此功能可实现精确的电流测量,无需大的瞬态电压和输出电压上的相关恢复纹波。 该器件采用2.7 V至5.5 V单电源供电,最大电源电流为2.4 mA 。固定增益为20 V /V.零漂移架构的低失调允许电流检测,分流器上的最大压降低至10 mV满量程。 特性 VID V62 /18615 抗辐射 单事件闩锁(SEL)免疫43 MeV-cm 2 /mgat 125° ELDRS每次使用晶圆批次可达30 krad(Si) TotalIonizing Dose(TID)RLAT至20krad(Si) 空间增强塑料 受控基线 金线 NiPdAu LeadFinish < /li> 一个装配和测试现场 一个制造现场 可用于军用(-55°C至125°C)温度范围 ExtendedProduct生命周期 扩展产品更改通知 产品可追溯性 用于低释气的增强型模具化合物 增强型PWM抑制 出色...
      发表于 01-08 17:51 ? 76次 阅读
      INA240-SEP 采用增强型航天塑料且具有增强型 PWM 抑制功能的 80V、高/低侧、零漂移电流检测放大器

      LM96000 具有集成风扇控制的硬件监控器

      LM96000硬件监视器具有与SMBus 2.0兼容的双线数字接口。使用8位ΣΔADC,LM96000测量: 两个远程二极管连接晶体管及其自身裸片的温度 VCCP,2.5V,3.3 VSBY,5.0V和12V电源(内部定标电阻)。 为了设置风扇速度,LM96000有三个PWM输出,每个输出由三个温度区域之一控制。支持高和低PWM频率范围。 LM96000包括一个数字滤波器,可调用该滤波器以平滑温度读数,从而更好地控制风扇速度。 LM96000有四个转速计输入,用于测量风扇速度。包括所有测量值的限制和状态寄存器。 特性 符合SMBus 2.0标准的2线制串行数字接口 8位ΣΔADC 监控VCCP,2.5V,3.3 VSBY,5.0V和12V主板/处理器电源 监控2个远程热二极管 基于温度读数的可编程自主风扇控制 风扇控制温度读数的噪声过滤 1.0°C数字温度传感器分辨率 3 PWM风扇速度控制输出 提供高低PWM频率范围 4风扇转速计输入 监控5条VID控制线 24针TSSOP封装 XOR-tree测试模式< /li> Key Specifications Voltage Measurement Accuracy ±2% FS (max) Resolution 8-bits, 1°C Temperature Sensor Accuracy ±3°C (max) Temperature ...
      发表于 01-08 17:51 ? 115次 阅读
      LM96000 具有集成风扇控制的硬件监控器

      LM63 具有集成风扇控制的准确远程二极管数字温度传感器

      LM63是一款带集成风扇控制的远程二极管温度传感器。 LM63精确测量:(1)自身温度和(2)二极管连接的晶体管(如2N3904)或计算机处理器,图形处理器单元(GPU)和其他ASIC上常见的热敏二极管的温度。 LM63远程温度传感器的精度针对串联电阻和英特尔0.13μm奔腾4和移动奔腾4处理器-M热敏二极管的1.0021非理想性进行了工厂调整。 LM63有一个偏移寄存器,用于校正由其他热二极管的不同非理想因素引起的误差。 LM63还具有集成的脉冲宽度调制(PWM)开漏风扇控制输出。风扇速度是远程温度读数,查找表和寄存器设置的组合。 8步查找表使用户能够编程非线性风扇速度与温度传递函数,通常用于静音声学风扇噪声。 特性 准确感应板载大型处理器或ASIC上的二极管连接2N3904晶体管或热二极管 准确感知其自身温度< /li> 针对英特尔奔腾4和移动奔腾4处理器-M热二极管的工厂调整 集成PWM风扇速度控制输出 使用用户可编程降低声学风扇噪音8 -Step查找表 用于 ALERT 输出或转速计输入,功能的多功能,用户可选引脚 用于测量风扇RPM的转速计输入< /li> 用于测量典型应用中脉冲宽度调制功率的风扇转速的Smart-Tach模式 偏移寄存器可针对...
      发表于 01-08 17:51 ? 166次 阅读
      LM63 具有集成风扇控制的准确远程二极管数字温度传感器

      AWR1843 集成 DSP、MCU 和雷达加速器的 76GHz 至 81GHz 单芯片汽车雷达传感器

      AWR1843器件是一款集成的单芯片FMCW雷达传感器,能够在76至81 GHz频段内工作。该器件采用TI的低功耗45纳米RFCMOS工艺制造,可在极小的外形尺寸内实现前所未有的集成度。 AWR1843是汽车领域低功耗,自监控,超精确雷达系统的理想解决方案。 AWR1843器件是一款独立的FMCW雷达传感器单芯片解决方案,可简化在76至81 GHz频段内实施汽车雷达传感器。它基于TI的低功耗45纳米RFCMOS工艺,可实现具有内置PLL和A2D转换器的3TX,4RX系统的单片实现。它集成了DSP子系统,其中包含TI的高性能C674x DSP,用于雷达信号处理。该设备包括BIST处理器子系统,负责无线电配置,控制和校准。此外,该器件还包括一个用户可编程ARM R4F,用于汽车接口。硬件加速器??椋℉WA)可以执行雷达处理,并可以帮助在DSP上保存MIPS以获得更高级别的算法。简单的编程模型更改可以实现各种传感器实现(短,中,长),并且可以动态重新配置以实现多模传感器。此外,该设备作为完整的平台解决方案提供,包括参考硬件设计,软件驱动程序,示例配置,API指南和用户文档。 特性 FMCW收发器 集成PLL,发送器,接收...
      发表于 01-08 17:51 ? 618次 阅读
      AWR1843 集成 DSP、MCU 和雷达加速器的 76GHz 至 81GHz 单芯片汽车雷达传感器

      OPA4388 10MHz、CMOS、零漂移、零交叉、真 RRIO 精密运算放大器

      OPAx388(OPA388,OPA2388和OPA4388)系列高精度运算放大器是超低噪声,快速稳定,零漂移,零交叉器件,可实现轨到轨输入和输出运行。这些特性及优异交流性能与仅为0.25μV的偏移电压以及0.005μV/°C的温度漂移相结合,使OPAx388成为驱动高精度模数转换器(ADC)或缓冲高分辨率数模转换器(DAC)输出的理想选择。该设计可在驱动模数转换器(ADC)的过程中实现优异性能,不会降低线性度.OPA388(单通道版本)提供VSSOP-8,SOT23 -5和SOIC-8三种封装.OPA2388(双通道版本)提供VSSOP-8和SO-8两种封装.OPA4388(四通道版本)提供TSSOP-14和SO-14两种封装。上述所有版本在-40°C至+ 125°C扩展工业温度范围内额定运行。 特性 超低偏移电压:±0.25μV 零漂移:±0.005μV/°C 零交叉:140dB CMRR实际RRIO 低噪声:1kHz时为7.0nV /√ Hz 无1 /f噪声:140nV < sub> PP (0.1Hz至10Hz) 快速稳定:2μs(1V至0.01%) 增益带宽:10MHz 单电源:2.5V至5.5V 双电源:±1.25V至±2.75V 真实轨到轨输入和输出 已滤除电磁干扰( EMI)/射频干扰(RFI)的输入 行业标...
      发表于 01-08 17:51 ? 104次 阅读
      OPA4388 10MHz、CMOS、零漂移、零交叉、真 RRIO 精密运算放大器

      TLV2314-Q1 3MHz、低功耗、内置 EMI 滤波器的 RRIO 运算放大器

      TLVx314-Q1系列单通道,双通道和四通道运算放大器是新一代低功耗,通用运算放大器的典型代表。该系列器件具有轨到轨输入和输出(RRIO)摆幅,低静态电流(5V时典型值为150μA),3MHz高带宽等特性,非常适用于需要在成本与性能间实现良好平衡的各类电池供电型应用。 TLVx314-Q1系列可实现1pA低输入偏置电流,是高阻抗传感器的理想选择。 TLVx314-Q1器件采用稳健耐用的设计,方便电路设计人员使用。该器件具有单位增益稳定性,支持轨到轨输入和输出(RRIO),容性负载高达300PF,集成RF和EMI抑制滤波器,在过驱条件下不会出现反相并且具有高静电放电(ESD)?;ぃ?kV人体模型(HBM))。 此类器件经过优化,适合在1.8V(±0.9V)至5.5V(±2.75V)的低电压状态下工作并可在-40°C至+ 125°C的扩展工业温度范围内额定运行。 TLV314-Q1(单通道)采用5引脚SC70和小外形尺寸晶体管(SOT)-23封装.TLV2314-Q1(双通道版本)采用8引脚小外形尺寸集成电路(SOIC)封装和超薄外形尺寸(VSSOP)封装。四通道TLV4314-Q1采用14引脚薄型小外形尺寸(TSSOP)封装。 特性 符合汽车类应用的要求 具...
      发表于 01-08 17:51 ? 94次 阅读
      TLV2314-Q1 3MHz、低功耗、内置 EMI 滤波器的 RRIO 运算放大器

      DRV5021 2.5V 至 5.5V 霍尔效应单极开关

      DRV5021器件是一款用于高速应用的低压数字开关霍尔效应传感器。该器件采用2.5V至5.5V电源工作,可检测磁通密度,并根据预定义的磁阈值提供数字输出。 该器件检测垂直于封装面的磁场。当施加的磁通密度超过磁操作点(B OP )阈值时,器件的漏极开路输出驱动低电压。当磁通密度降低到小于磁释放点(B RP )阈值时,输出变为高阻抗。由B OP 和B RP 分离产生的滞后有助于防止输入噪声引起的输出误差。这种配置使系统设计更加强大,可抵抗噪声干扰。 该器件可在-40°C至+ 125°C的宽环境温度范围内始终如一地工作。 特性 数字单极开关霍尔传感器 2.5 V至5.5 V工作电压V CC 范围 磁敏感度选项(B OP ,B RP ): DRV5021A1:2.9 mT,1.8 mT DRV5021A2:9.2 mT,7.0 mT DRV5021A3:17.9 mT,14.1 mT 快速30-kHz感应带宽 开漏输出能够达到20 mA 优化的低压架构 集成滞后以增强抗噪能力 工作温度范围:-40° C至+ 125°C 标准工业封装: 表面贴装SOT-23 所有商标均为其各自所有者的财产。 参数 与其它产品相比?霍尔效应锁存器和开关 ? Type Supply Voltage (Vcc) (Min) (V...
      发表于 01-08 17:51 ? 142次 阅读
      DRV5021 2.5V 至 5.5V 霍尔效应单极开关

      TLV1805-Q1 具有关断功能的 40V 微功耗推挽式汽车类高电压比较器

      TLV1805-Q1高压比较器提供宽电源范围,推挽输出,轨到轨输入,低静态电流,关断的独特组合和快速输出响应。所有这些特性使该比较器非常适合需要检测正或负电压轨的应用,如智能二极管控制器的反向电流?;?,过流检测和过压?;さ缏?,其中推挽输出级用于驱动栅极p沟道或n沟道MOSFET开关。 高峰值电流推挽输出级是高压比较器的独特之处,它具有允许输出主动驱动负载到电源轨的优势具有快速边缘速率。这在MOSFET开关需要被驱动为高或低以便将主机与意外高压电源连接或断开的应用中尤其有价值。低输入失调电压,低输入偏置电流和高阻态关断等附加功能使TLV1805-Q1足够灵活,可以处理几乎任何应用,从简单的电压检测到驱动单个继电器。 TLV1805-Q1符合AEC-Q100标准,采用6引脚SOT-23封装,额定工作温度范围为-40°C至+ 125°C。 特性 AEC-Q100符合以下结果: DeviceTemperature 1级:-40°C至+ 125°C环境温度工作温度 器件HBMESD分类等级2 器件CDM ESD分类等级C4A 3.3 V至40 V电源范围 低静态电流:每个比较器150μA 两个导轨以外的输入共模范围 相位反转?;?推 - 拉输出 250ns传播延迟 低输入失...
      发表于 01-08 17:51 ? 125次 阅读
      TLV1805-Q1 具有关断功能的 40V 微功耗推挽式汽车类高电压比较器

      TMP461-SP 耐辐射 (RHA) 高精度远程和本地温度传感器

      这个远程温度传感器通常采用低成本分立式NPN或PNP晶体管,或者基板热晶体管/二极管,这些器件都是微处理器,模数转换器(ADC),数模转换器(DAC),微控制器或现场可编程门阵列(FPGA)中不可或缺的部件。本地和远程传感器均用12位数字编码表示温度,分辨率为0.0625°C。此两线制串口接受SMBus通信协议,以及多达9个不同的引脚可编程地址。 该器件将诸如串联电阻抵消,可编程非理想性因子(η因子),可编程偏移,可编程温度限制和可编程数字滤波器等高级特性完美结合,提供了一套准确度和抗扰度更高且稳健耐用的温度监控解决方案。 TMP461-SP是在各种分布式遥测应用中进行多位置高精度温度测量的理想选择这类集成式本地和远程温度传感器可提供一种简单的方法来测量温度梯度,进而简化了航天器维护活动。该器件的额定电源电压范围为1.7V至3.6V,额定工作温度范围为-55 °C至125°C。 特性 符合QMLV标准:5962-1721801VXC 热增强型HKU封装 经测试,在50rad /s的高剂量率(HDR)下,可抵抗高达50krad(Si)的电离辐射总剂量(TID) 经测试,在10mrad /s的低剂量率(LDR)下,可抵抗高达100krad(Si)的电离辐射...
      发表于 01-08 17:51 ? 179次 阅读
      TMP461-SP 耐辐射 (RHA) 高精度远程和本地温度传感器

      LP87524P-Q1 用于 AWR 和 IWR MMIC 的四个 4MHz 降压转换器

      LP87524B /J /P-Q1旨在满足各种汽车电源应用中最新处理器和平台的电源管理要求。该器件包含四个降压DC-DC转换器内核,配置为4个单相输出。该器件由I 2 C兼容串行接口和enableignals控制。 自动PFM /PWM(自动模式)操作可在宽输出电流范围内最大限度地提高效率。 LP87524B /J /P-Q1支持远程电压检测,以补偿稳压器输出和负载点(POL)之间的IR压降,从而提高输出电压的精度。此外,开关时钟可以强制为PWM模式,也可以与外部时钟同步,以最大限度地减少干扰。 LP87524B /J /P-Q1器件支持负载电流测量,无需增加外部电流检测电阻器。此外,LP87524B /J /P-Q1还支持可编程的启动和关闭延迟以及与信号同步的序列。这些序列还可以包括GPIO信号,以控制外部稳压器,负载开关和处理器复位。在启动和电压变化期间,器件控制输出压摆率,以最大限度地减少输出电压过冲和浪涌电流。 特性 符合汽车应用要求 AEC-Q100符合以下结果: 设备温度等级1:-40°C至+ 125°C环境工作温度 输入电压:2.8 V至5.5 V 输出电压:0.6 V至3.36 V 四个高效降压型DC-DC转换器内核: 总输出电流高达10 A 输出电压漏电率...
      发表于 01-08 17:51 ? 159次 阅读
      LP87524P-Q1 用于 AWR 和 IWR MMIC 的四个 4MHz 降压转换器

      TAS2562 具有扬声器 IV 检测功能的数字输入单声道 D 类音频放大器

      TAS2562是一款数字输入D类音频放大器,经过优化,能够有效地将高峰值功率驱动到小型扬声器应用中。 D类放大器能够在电压为3.6 V的情况下向6.1负载提供6.1 W的峰值功率。 集成扬声器电压和电流检测可实现对扬声器的实时监控。这允许在将扬声器保持在安全操作区域的同时推动峰值SPL。具有防止掉电的电池跟踪峰值电压限制器可优化整个充电周期内的放大器裕量,防止系统关闭。 I 2 S /TDM + I中最多可有四个器件共用一个公共总线 2 C接口。 TAS2562器件采用36球,0.4 mm间距CSP封装,尺寸紧凑。 高性能D类放大器 6.1 W 1%THD + N(3.6 V时4Ω) 5 W 1%THD + N(在3.6 V时为8Ω) 15μVrmsA加权空闲信道噪声 112.5dB SNR为1%THD + N(8Ω) 100dB PSRR,200 mV PP 纹波频率为20 - 20 kHz 83.5%效率为1 W (8Ω,VBAT = 4.2V) &lt; 1μAHW关断VBAT电流 扬声器电压和电流检测 VBAT跟踪峰值电压限制器,具有欠压预防 8 kHz至192 kHz采样率 灵活的用户界面 I 2 S /TDM:8通道(32位/96 kHz) I 2 < /sup> C:4个可选择的地址 MCLK免费操作 低流行并点...
      发表于 01-08 17:51 ? 221次 阅读
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      LM358B 双路运算放大器

      LM358B和LM2904B器件是业界标准的LM358和LM2904器件的下一代版本,包括两个高压(36V)操作放大器(运算放大器)。这些器件为成本敏感型应用提供了卓越的价值,具有低失调(300μV,典型值),共模输入接地范围和高差分输入电压能力等特点。 LM358B和LM2904B器件简化电路设计具有增强稳定性,3 mV(室温下最大)的低偏移电压和300μA(典型值)的低静态电流等增强功能。 LM358B和LM2904B器件具有高ESD(2 kV,HBM)和集成的EMI和RF滤波器,可用于最坚固,极具环境挑战性的应用。 LM358B和LM2904B器件采用微型封装,例如TSOT-8和WSON,以及行业标准封装,包括SOIC,TSSOP和VSSOP。 特性 3 V至36 V的宽电源范围(B版) 供应 - 电流为300μA(B版,典型值) 1.2 MHz的单位增益带宽(B版) 普通 - 模式输入电压范围包括接地,使能接地直接接地 25°C时低输入偏移电压3 mV(A和B型号,最大值) 内部RF和EMI滤波器(B版) 在符合MIL-PRF-38535的产品上,除非另有说明,否则所有参数均经过测试。在所有其他产品上,生产加工不一定包括所有参数的测试。 所...
      发表于 01-08 17:51 ? 154次 阅读
      LM358B 双路运算放大器

      LP87565-Q1 具有集成开关的四相 8A + 8A 降压转换器

      LP8756x-Q1器件专为满足各种汽车电源应用中最新处理器和平台的电源管理要求而设计。该器件包含四个降压直流/直流转换器内核,这些内核可配置为1个四相输出,1个三相和1个单相输出,2个两相输出,1个两相和2个单相输出,或者4个单相输出。该器件由I 2 C兼容串行接口和使能信号进行控制。 自动脉宽调制(PWM)到脉频调制(PFM)操作( AUTO模式)与自动增相和切相相结合,可在较宽输出电流范围内最大限度地提高效率.LP8756x-Q1支持对多相位输出的远程差分电压检测,可补偿稳压器输出与负载点(POL)之间的IR压降,从而提高输出电压的精度。此外,可以强制开关时钟进入PWM模式以及将其与外部时钟同步,从而最大限度地降低干扰。 LP8756x- Q1器件支持在不添加外部电流检测电阻器的情况下进行负载电这个序列可能包括用于控制外部稳压器,负载开关和处理器复位的GPIO信号。在启动和电压变化期间,该器件会对输出压摆率进行控制,从而最大限度地减小输出电压过冲和浪涌电流。 特性 符合汽车类标准 具有符合AEC-Q100标准的下列特性: 器件温度1级:-40℃至+ 125℃的环境运行温度范围 器件HBM ESD分类等级2 器件CDM ES...
      发表于 01-08 17:51 ? 131次 阅读
      LP87565-Q1 具有集成开关的四相 8A + 8A 降压转换器

      LM2902LV 行业标准、低电压放大器

      LM290xLV系列包括双路LM2904LV和四路LM2902LV运算放大器。这些器件由2.7V至5.5V的低电压供电。 这些运算放大器可以替代低电压应用中的成本敏感型LM2904和LM2902。有些应用是大型电器,烟雾探测器和个人电子产品.LM290xLV器件在低电压下可提供比LM290x器件更佳的性能,并且功能耗尽。这些运算放大器具有单位增益稳定性,并且在过驱情况下不会出现相位反转.ESD设计为LM290xLV系列提供了至少2kV的HBM规格。 LM290xLV系列采用行业标准封装。这些封装包括SOIC,VSSOP和TSSOP封装。 特性 适用于成本敏感型系统的工业标准放大器 低输入失调电压:±1mV < LI>共模电压范围包括接地 单位增益带宽:1MHz的 低宽带噪声:40nV /√赫兹 低静态电流:90μA/通道 单位增益稳定 可在2.7V至5.5V的电源电压下运行 提供双通道和四通道型号< /li> 严格的ESD规格:2kV HBM 扩展温度范围:-40°C至125°C 所有商标均为各自所有者的财产。 参数 与其它产品相比?通用 运算放大器 ? Number of channels (#) Total Supply Voltage (Min) (+5V=5, +/-5V=10) Total Supply Voltage (Max) (+5V...
      发表于 01-08 17:51 ? 126次 阅读
      LM2902LV 行业标准、低电压放大器

      LP87561-Q1 具有集成开关的四相 16A 降压转换器

      LP8756x-Q1器件专为满足各种汽车电源应用中最新处理器和平台的电源管理要求而设计。该器件包含四个降压直流/直流转换器内核,这些内核可配置为1个四相输出,1个三相和1个单相输出,2个两相输出,1个两相和2个单相输出,或者4个单相输出。该器件由I 2 C兼容串行接口和使能信号进行控制。 自动脉宽调制(PWM)到脉频调制(PFM)操作( AUTO模式)与自动增相和切相相结合,可在较宽输出电流范围内最大限度地提高效率.LP8756x-Q1支持对多相位输出的远程差分电压检测,可补偿稳压器输出与负载点(POL)之间的IR压降,从而提高输出电压的精度。此外,可以强制开关时钟进入PWM模式以及将其与外部时钟同步,从而最大限度地降低干扰。 LP8756x- Q1器件支持在不添加外部电流检测电阻器的情况下进行负载电这个序列可能包括用于控制外部稳压器,负载开关和处理器复位的GPIO信号。在启动和电压变化期间,该器件会对输出压摆率进行控制,从而最大限度地减小输出电压过冲和浪涌电流。 特性 符合汽车类标准 具有符合AEC-Q100标准的下列特性: 器件温度1级:-40℃至+ 125℃的环境运行温度范围 器件HBM ESD分类等级2 器件CDM ES...
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      LP87561-Q1 具有集成开关的四相 16A 降压转换器
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